Продукція > NEXPERIA > BSH202,215
BSH202,215

BSH202,215 Nexperia

66241790205926bsh202.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.77 грн
6000+ 6.7 грн
9000+ 6.09 грн
15000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH202,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSH202,215 за ціною від 5.22 грн до 29.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.81 грн
9000+ 6.1 грн
18000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.89 грн
6000+ 6.82 грн
9000+ 6.19 грн
15000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA 454166.pdf Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.14 грн
9000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.9 грн
500+ 7.54 грн
1500+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
635+19.19 грн
1114+ 10.93 грн
1126+ 10.82 грн
1151+ 10.2 грн
1526+ 7.12 грн
3000+ 6.23 грн
6000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 635
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.88 грн
25+ 15.08 грн
28+ 13.23 грн
50+ 10.13 грн
96+ 9 грн
264+ 8.51 грн
500+ 8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.88 грн
50+ 18.39 грн
100+ 12.9 грн
500+ 7.54 грн
1500+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.37 грн
32+ 19.06 грн
34+ 17.82 грн
100+ 9.79 грн
250+ 8.97 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.79 грн
6000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.66 грн
15+ 18.79 грн
17+ 15.88 грн
50+ 12.15 грн
96+ 10.8 грн
264+ 10.21 грн
500+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia BSH202-2937684.pdf MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB
на замовлення 10878 шт:
термін постачання 48-57 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.23 грн
21+ 15.83 грн
100+ 9.44 грн
1000+ 8.16 грн
3000+ 7.38 грн
9000+ 5.61 грн
24000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
товару немає в наявності
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
товару немає в наявності