![BSH201,215 BSH201,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH201,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSH201,215 за ціною від 5.76 грн до 78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape On-state resistance: 4.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 44619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
на замовлення 19165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 78696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 Код товару: 116680 |
![]() |
товар відсутній
|