Продукція > NEXPERIA > BSH108,215
BSH108,215

BSH108,215 NEXPERIA

170073982740521bsh108.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH108,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.39 грн до 30.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.37 грн
9000+ 6.92 грн
24000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.44 грн
9000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.53 грн
9000+ 5.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA 454161.pdf Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.42 грн
9000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 74502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.79 грн
500+ 8.11 грн
1500+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA BSH108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+18.72 грн
26+ 14.05 грн
50+ 9.85 грн
100+ 8.4 грн
109+ 7.75 грн
300+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 93744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
20+ 14.63 грн
100+ 8.81 грн
500+ 7.65 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA BSH108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.46 грн
16+ 17.51 грн
50+ 11.82 грн
100+ 10.08 грн
109+ 9.3 грн
300+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
516+23.38 грн
958+ 12.59 грн
968+ 12.46 грн
987+ 11.79 грн
1354+ 7.95 грн
3000+ 6.32 грн
6000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 516
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 74502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.13 грн
50+ 19.5 грн
100+ 12.79 грн
500+ 8.11 грн
1500+ 7.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+26.86 грн
29+ 20.75 грн
100+ 10.79 грн
1000+ 7.47 грн
3000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.82 грн
28+ 21.71 грн
100+ 11.28 грн
250+ 10.33 грн
500+ 9.73 грн
1000+ 7.09 грн
3000+ 5.87 грн
6000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia BSH108-2937564.pdf MOSFET BSH108/SOT23/TO-236AB
на замовлення 20087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.17 грн
14+ 22.95 грн
100+ 10.85 грн
1000+ 7.51 грн
3000+ 6.4 грн
9000+ 5.7 грн
24000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.42 грн
26+ 23.51 грн
100+ 12.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSH108,215
Код товару: 143966 		BSH108.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній