BSH105,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH105,215 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 417mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V.
Інші пропозиції BSH105,215 за ціною від 4.73 грн до 80.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V |
на замовлення 406826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH105/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 264680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 76962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 417mW Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A On-state resistance: 0.375Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.05A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 76962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 417mW Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A On-state resistance: 0.375Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BSH105,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSH105,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BSH105,215 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|