BSH103BKR Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.99 грн |
| 6000+ | 4.6 грн |
| 9000+ | 3.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH103BKR Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSH103BKR за ціною від 3.55 грн до 30.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH103BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH103BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH103BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V |
на замовлення 19822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH103BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSH103BK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 23842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH103BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BSH103BKR | Виробник : NEXPERIA |
Small signal MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSH103BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BSH103BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |