![BSH103,215 BSH103,215](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2021/2/10/11/33/44/847541/nexpe_/manual/nxv65upr.jpg)
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 5.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH103,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSH103,215 за ціною від 3.81 грн до 29.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 52660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 52660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 108865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
на замовлення 35889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 31634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 108865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSH103,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |