BSDH10S65E6 Bourns Inc.
Виробник: Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.4 грн |
| 50+ | 184.33 грн |
| 100+ | 158.01 грн |
| 500+ | 131.81 грн |
| 1000+ | 112.86 грн |
| 2000+ | 106.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSDH10S65E6 Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції BSDH10S65E6 за ціною від 109.15 грн до 261.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSDH10S65E6 | Виробник : Bourns |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2 |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSDH10S65E6 | Виробник : Bourns |
650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2 |
товар відсутній |