BSC205N10LSG

BSC205N10LSG Infineon Technologies


INFNS16205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 5751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
662+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 662
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC205N10LSG Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 76W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC205N10LSG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC205N10LS G BSC205N10LS G Виробник : Infineon Technologies BSC205N10LS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товар відсутній
BSC205N10LS G BSC205N10LS G Виробник : Infineon Technologies BSC205N10LS_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 43µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V
товар відсутній
BSC205N10LS G BSC205N10LS G Виробник : Infineon Technologies BSC205N10LS_G.pdf MOSFET N-Ch 100V 7.4A TDSON-8
товар відсутній