BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 129.32 грн |
| 10+ | 121.11 грн |
| 25+ | 118.12 грн |
| 50+ | 113.47 грн |
| 100+ | 98.07 грн |
| 250+ | 92.68 грн |
| 500+ | 89.03 грн |
| 1000+ | 88.46 грн |
| 3000+ | 87.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V.
Інші пропозиції BSC160N15NS5SCATMA1 за ціною від 79.82 грн до 145.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005560955 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
|
|
BSC160N15NS5SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V |
товар відсутній |