Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC152N15LS5ATMA1
BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111 грн
10+ 96.35 грн
25+ 90.87 грн
100+ 72.66 грн
250+ 68.22 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 48.65 грн
2500+ 45.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 46.11 грн до 120.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398088.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.9 грн
10+ 96.99 грн
100+ 67.33 грн
250+ 62.34 грн
500+ 56.58 грн
1000+ 48.5 грн
2000+ 46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+112.18 грн
10+ 97.63 грн
25+ 93.49 грн
100+ 79.49 грн
250+ 70.11 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 50.56 грн
3000+ 50.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+120.79 грн
115+ 105.1 грн
120+ 100.71 грн
136+ 85.56 грн
250+ 75.43 грн
500+ 65.04 грн
1000+ 54.17 грн
3000+ 53.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf BSC152N15LS5ATMA1
товар відсутній
BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
товар відсутній