![BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5849/MFG_BSCxxxN15LS5.jpg)
BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
![BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111 грн |
10+ | 96.35 грн |
25+ | 90.87 грн |
100+ | 72.66 грн |
250+ | 68.22 грн |
500+ | 59.7 грн |
1000+ | 48.65 грн |
2500+ | 45.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V.
Інші пропозиції BSC152N15LS5ATMA1 за ціною від 46.11 грн до 120.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
BSC152N15LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
товар відсутній |