Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC105N15LS5ATMA1
BSC105N15LS5ATMA1

BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC105N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.54 грн
10+ 133.94 грн
25+ 126.37 грн
100+ 101.04 грн
250+ 94.87 грн
500+ 83.01 грн
1000+ 67.66 грн
2500+ 62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC105N15LS5ATMA1 за ціною від 64.05 грн до 165.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398000.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.87 грн
10+ 135.45 грн
100+ 93.39 грн
250+ 86.42 грн
500+ 78.75 грн
1000+ 67.39 грн
2000+ 64.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+159.14 грн
10+ 138.5 грн
25+ 132.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC105N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf BSC105N15LS5ATMA1
товар відсутній
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC105N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V
товар відсутній