BSC097N06NSTATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 52.83 грн |
| 500+ | 41.88 грн |
| 1000+ | 29.6 грн |
| 5000+ | 28.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC097N06NSTATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.
Інші пропозиції BSC097N06NSTATMA1 за ціною від 27.78 грн до 91.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
на замовлення 7775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC097N06NSTATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
товар відсутній |