Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC093N15NS5SCATMA1
BSC093N15NS5SCATMA1

BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.52 грн
10+ 229.35 грн
100+ 185.52 грн
500+ 154.76 грн
1000+ 132.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC093N15NS5SCATMA1 за ціною від 136.96 грн до 309.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC093N15NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360727.pdf MOSFETs N
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+309.02 грн
10+ 256.64 грн
25+ 216.21 грн
100+ 180.06 грн
250+ 174.5 грн
500+ 160.6 грн
1000+ 136.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC093N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc093n15ns5sc-datasheet-v02_01-en.pdf SP005560939
товар відсутній
BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
товар відсутній