![BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1](https://media.digikey.com/Renders/Infineon%20Renders/448;-P%5EPG-TISON-8;-;-8.jpg)
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 66.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TISON-8, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSC0911NDATMA1 за ціною від 43.16 грн до 152.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC0911NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC0911NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC0911NDATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TISON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC0911NDATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TISON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |