BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 40.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSC0910NDIATMA1 за ціною від 44 грн до 229.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 4430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 12651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TISON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC0910NDIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 2.5W; PG-TISON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: PG-TISON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |