Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0902NSIATMA1 за ціною від 22.25 грн до 91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.7 грн
500+ 30.56 грн
1000+ 27.88 грн
5000+ 27.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.16 грн
16+ 39.45 грн
25+ 39.36 грн
50+ 37.28 грн
100+ 32 грн
250+ 30.19 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 23.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
285+42.49 грн
286+ 42.39 грн
291+ 41.64 грн
314+ 37.22 грн
319+ 33.86 грн
500+ 30.54 грн
1000+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 285
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+45.49 грн
25+ 45 грн
100+ 42.93 грн
250+ 39.32 грн
500+ 37.33 грн
1000+ 36.91 грн
3000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
247+48.99 грн
250+ 48.46 грн
253+ 47.95 грн
255+ 45.73 грн
500+ 41.87 грн
1000+ 39.75 грн
3000+ 39.3 грн
Мінімальне замовлення: 247
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.77 грн
19+ 42.37 грн
100+ 30.96 грн
500+ 24.46 грн
1000+ 22.31 грн
5000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 26081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.8 грн
10+ 45.88 грн
100+ 35.65 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 28.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+75.83 грн
23+ 38.4 грн
61+ 36.3 грн
1000+ 35.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91 грн
23+ 47.86 грн
61+ 43.56 грн
1000+ 43.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0902NSI_DataSheet_v02_04_EN-3160616.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній