Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0901NSIATMA1
BSC0901NSIATMA1

BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies

bsc0901nsi_rev_2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC0901NSIATMA1 за ціною від 30.02 грн до 127.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+57.14 грн
218+ 55.33 грн
238+ 50.8 грн
250+ 48.23 грн
500+ 41.44 грн
1000+ 34.24 грн
3000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 211
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.16 грн
500+ 47.22 грн
1000+ 35.28 грн
5000+ 34.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+57.64 грн
12+ 53.06 грн
25+ 51.38 грн
100+ 45.49 грн
250+ 41.47 грн
500+ 36.94 грн
1000+ 31.79 грн
3000+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON INFNS18210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.46 грн
11+ 74.9 грн
100+ 57.16 грн
500+ 47.22 грн
1000+ 35.28 грн
5000+ 34.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.32 грн
10+ 76.95 грн
100+ 59.84 грн
500+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+127.05 грн
104+ 116.8 грн
123+ 98.47 грн
200+ 90.11 грн
500+ 76.3 грн
1000+ 60.68 грн
2000+ 58.75 грн
5000+ 55.41 грн
Мінімальне замовлення: 95
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0901nsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній