Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0901NSATMA1

BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 391897-7
Price: 22.71 UAH
Availability: InStock

infineon-bsc0901ns-datasheet-v02_03-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	22.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0901NSATMA1 за ціною від 26.59 грн до 108.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	30.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	33.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	35.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
233+	52.61 грн
235+	52.13 грн
262+	46.83 грн
267+	44.24 грн
500+	37.32 грн
1000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 233

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	52.93 грн
13+	48.85 грн
25+	48.41 грн
100+	41.94 грн
250+	38.04 грн
500+	33.27 грн
1000+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

BSC0901NSATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16517-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 4406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	59.27 грн
500+	46.59 грн
1000+	32.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 32285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	62.57 грн
10+	49.38 грн
100+	38.38 грн
500+	30.53 грн
1000+	30.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BSC0901NS_DataSheet_v02_03_EN-3360886.pdf

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 5999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	62.79 грн
10+	51.67 грн
100+	35.76 грн
500+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSC0901NSATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BSC0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	80.71 грн
50+	59.19 грн
250+	50.17 грн
1000+	35.71 грн
3000+	31.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 7855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
117+	104.99 грн
126+	97.72 грн
150+	81.72 грн
200+	74.79 грн
500+	63.31 грн
1000+	50.35 грн
2000+	48.83 грн
5000+	45.98 грн

Мінімальне замовлення: 117

BSC0901NSATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
114+	108.12 грн
126+	97.2 грн
154+	79.64 грн
200+	72.18 грн
500+	59.4 грн
1000+	47.14 грн
2000+	45.18 грн
5000+	41.16 грн

Мінімальне замовлення: 114

BSC0901NSATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSC0901NSATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній