Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC082N10LSGATMA1
BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSC082N10LSGATMA1 за ціною від 80.33 грн до 247.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
на замовлення 13072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+143.07 грн
500+ 113.97 грн
1000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC082N10LS+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647faad240719 Description: MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 10790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.76 грн
10+ 157.68 грн
100+ 125.5 грн
500+ 99.66 грн
1000+ 84.56 грн
2000+ 80.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC082N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
на замовлення 13072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+247.83 грн
10+ 183.72 грн
100+ 143.07 грн
500+ 113.97 грн
1000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsc082n10lsrev1.07.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfileiddb3a3043163797a6011647faad.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC082N10LSG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC082N10LSGATMA1 BSC082N10LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC082N10LSG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній