Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N12LSGATMA1
BSC080N12LSGATMA1

BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.21 грн
10+ 148.82 грн
100+ 118.42 грн
500+ 94.04 грн
1000+ 79.79 грн
2000+ 75.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V.

Інші пропозиції BSC080N12LSGATMA1 за ціною від 76.66 грн до 204.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC080N12LS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360885.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.89 грн
10+ 159.49 грн
100+ 115.69 грн
250+ 110.81 грн
500+ 97.57 грн
1000+ 79.45 грн
5000+ 76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
товар відсутній