Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N03MSGATMA1
BSC080N03MSGATMA1

BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC080N03MSGATMA1 за ціною від 17.43 грн до 58.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+20.89 грн
10000+ 18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.37 грн
10000+ 20.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.47 грн
25+ 24.25 грн
39+ 21.8 грн
100+ 21.71 грн
107+ 20.61 грн
250+ 20.25 грн
1000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC080N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.37 грн
25+ 30.22 грн
39+ 26.16 грн
100+ 26.05 грн
107+ 24.73 грн
250+ 24.3 грн
1000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+50.58 грн
332+ 36.48 грн
335+ 36.15 грн
500+ 29.39 грн
1000+ 20.91 грн
3000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 239
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+53.63 грн
13+ 47.36 грн
25+ 46.97 грн
100+ 32.67 грн
250+ 29.97 грн
500+ 24.26 грн
1000+ 18.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de6cfd390383 Description: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 23806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.05 грн
10+ 48.42 грн
100+ 33.52 грн
500+ 26.29 грн
1000+ 22.37 грн
2000+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4953bsc080n03msg_rev2.1.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC080N03MSG_DS_v02_01_en-3359938.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній