Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC080N03LSGATMA1
BSC080N03LSGATMA1

BSC080N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC080N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427c2683cbe Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.52 грн
10+ 49.45 грн
100+ 34.25 грн
500+ 26.86 грн
1000+ 22.86 грн
2000+ 20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC080N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC080N03LSGATMA1 за ціною від 37.67 грн до 82.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03LS-DS-v02_01-en-1226182.pdf MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.3 грн
10+ 71.39 грн
100+ 47.61 грн
500+ 37.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5212bsc080n03ls_rev1.25.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC080N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b427c2683cbe Description: MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товар відсутній