BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 70.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSC079N10NSGATMA1 за ціною від 90.11 грн до 205.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V |
на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BSC079N10NSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |