BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 31.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.
Інші пропозиції BSC072N08NS5ATMA1 за ціною від 45.6 грн до 130.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
на замовлення 71960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
на замовлення 71960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8 |
на замовлення 44982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V |
на замовлення 28407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSC072N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |