BSC072N08NS5ATMA1

BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.

Інші пропозиції BSC072N08NS5ATMA1 за ціною від 45.6 грн до 130.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.66 грн
10000+ 49.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+82.88 грн
151+ 80.26 грн
164+ 73.91 грн
200+ 69.33 грн
500+ 64.01 грн
1000+ 58.35 грн
2000+ 57.05 грн
Мінімальне замовлення: 146
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+86.2 грн
155+ 78.04 грн
156+ 77.64 грн
174+ 67.17 грн
250+ 59.16 грн
500+ 53.48 грн
1000+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 141
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 71960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+87.56 грн
250+ 73.64 грн
1000+ 55.61 грн
3000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250519-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0062 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
на замовлення 71960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+110.23 грн
50+ 87.56 грн
250+ 73.64 грн
1000+ 55.61 грн
3000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC072N08NS5_DataSheet_v02_01_EN-3360753.pdf MOSFET N-Ch 80V 74A TDSON-8
на замовлення 44982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.2 грн
10+ 89.76 грн
100+ 68.09 грн
250+ 65.44 грн
500+ 58.19 грн
1000+ 49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC072N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3d8e8192c7c Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
на замовлення 28407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.64 грн
10+ 98.87 грн
100+ 78.71 грн
500+ 62.51 грн
1000+ 53.04 грн
2000+ 50.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+130.64 грн
10+ 106.01 грн
100+ 86.6 грн
250+ 77.03 грн
500+ 64.92 грн
1000+ 50.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc072n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC072N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC072N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній