![BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4850/448_8-PowerTDFN.jpg)
BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-BSC070N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fc62d9d6b3c](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 54.07 грн |
10000+ | 50.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC070N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSC070N10NS5ATMA1 за ціною від 50.77 грн до 136.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V |
на замовлення 35918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |