BSC0703LSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.23 грн |
| 15+ | 55.66 грн |
| 100+ | 43.39 грн |
| 500+ | 33.25 грн |
| 1000+ | 22.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0703LSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BSC0703LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 0.0053 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSC0703LSATMA1 за ціною від 27.45 грн до 71.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0703LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
на замовлення 6753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0703LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BSC0703LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/64A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V |
товар відсутній |