BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 25.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC067N06LS3GATMA1 за ціною від 38.89 грн до 117.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 25014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC067N06LS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V |
товар відсутній |