BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC059N04LS6ATMA1 за ціною від 28.61 грн до 79.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+31.66 грн
10000+ 29.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+44.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
244+49.58 грн
247+ 48.94 грн
275+ 44.09 грн
281+ 41.54 грн
500+ 35.73 грн
1000+ 33.32 грн
3000+ 32.34 грн
6000+ 31.35 грн
15000+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 244
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.48 грн
13+ 46.04 грн
25+ 45.44 грн
100+ 39.48 грн
250+ 35.72 грн
500+ 31.85 грн
1000+ 30.94 грн
3000+ 30.03 грн
6000+ 29.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : INFINEON 2792916.pdf Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.94 грн
250+ 45.66 грн
1000+ 32.52 грн
3000+ 28.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : INFINEON 2792916.pdf Description: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0047 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.43 грн
50+ 53.94 грн
250+ 45.66 грн
1000+ 32.52 грн
3000+ 28.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC059N04LS6_DataSheet_v02_01_EN-3360636.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 47224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.89 грн
10+ 64.04 грн
100+ 44.25 грн
500+ 38.4 грн
1000+ 30.66 грн
2500+ 30.59 грн
5000+ 29.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+79.35 грн
179+ 67.57 грн
209+ 57.9 грн
221+ 52.92 грн
500+ 45.85 грн
1000+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 153
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC059N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd22cfc6481f Description: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 39317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.91 грн
10+ 63.3 грн
100+ 49.25 грн
500+ 39.17 грн
1000+ 31.91 грн
2000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc059n04ls6-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній