BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 75.39 грн |
| 10+ | 63.81 грн |
| 100+ | 48.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC057N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 71A, On-state resistance: 5.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Mounting: SMD, Case: PG-TDSON-8, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSC057N03MSGATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC057N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
BSC057N03MSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON |
товар відсутній |
|
|
|
BSC057N03MSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 71A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
товар відсутній |