![BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LSATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 14.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSC050NE2LSATMA1 за ціною від 21.79 грн до 80.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V |
на замовлення 20405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSC050NE2LSATMA1 Код товару: 116189 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 |
товар відсутній |