![BSC050N10NS5ATMA1 BSC050N10NS5ATMA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TDSON_6x5_8_DSL.jpg)
на замовлення 27838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 169.12 грн |
10+ | 145.86 грн |
25+ | 126.14 грн |
100+ | 108.02 грн |
250+ | 107.32 грн |
500+ | 99.66 грн |
1000+ | 93.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC050N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSC050N10NS5ATMA1 за ціною від 62.28 грн до 205.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm |
на замовлення 7637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
BSC050N10NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V |
товар відсутній |