![BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 18.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0504NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.004 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.
Інші пропозиції BSC0504NSIATMA1 за ціною від 25.67 грн до 75.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
на замовлення 12520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 34489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm |
на замовлення 12520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
на замовлення 21907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSC0504NSIATMA1 Код товару: 161029 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.7mΩ Drain current: 64A Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 30W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.7mΩ Drain current: 64A Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |