BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 24.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC0503NSIATMA1 за ціною від 30.59 грн до 91.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0503NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
на замовлення 4607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0503NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 7417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC0503NSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 100A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC0503NSIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC0503NSIATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 100A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товар відсутній |