BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 53.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції BSC042NE7NS3GATMA1 за ціною від 53.5 грн до 208.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 19A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 16591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 37.5 V |
на замовлення 33044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSC042NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
товар відсутній |