Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC042N03MSGATMA1
BSC042N03MSGATMA1

BSC042N03MSGATMA1 Infineon Technologies

3504bsc042n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC042N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC042N03MSGATMA1 за ціною від 23.83 грн до 63.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3504bsc042n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3504bsc042n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.87 грн
10+ 50.22 грн
100+ 39.06 грн
500+ 31.07 грн
1000+ 25.31 грн
2000+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC042N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 82A; 57W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 82A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3504bsc042n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3504bsc042n03msg_rev1.17.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366 Description: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC042N03MSG_DS_v02_01_en-3160430.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC042N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 82A; 57W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 82A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній