Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0403NSATMA1
BSC0403NSATMA1

BSC0403NSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC0403NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015dda00a2215 Виробник: Infineon Technologies
Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.99 грн
10+ 154.12 грн
100+ 122.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0403NSATMA1 Infineon Technologies

Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSC0403NSATMA1 за ціною від 137.29 грн до 269.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0403NS_DataSheet-1770888.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.94 грн
10+ 238.83 грн
100+ 167.26 грн
500+ 137.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC0403NSATMA1 BSC0403NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC0403NS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017015dda00a2215 Description: 150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товар відсутній