BSC039N06NS Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 116.78 грн |
| 108+ | 112.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC039N06NS Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8, Technology: OptiMOS™, Mounting: SMD, Power dissipation: 69W, Case: PG-TDSON-8, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 100A, On-state resistance: 3.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSC039N06NS за ціною від 51.15 грн до 131.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC039N06NS | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 |
на замовлення 12726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC039N06NS | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC039N06NS | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |