Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC037N08NS5TATMA1
BSC037N08NS5TATMA1

BSC037N08NS5TATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.48 грн
10+ 166.61 грн
25+ 148.73 грн
100+ 125.62 грн
250+ 111.66 грн
500+ 97.71 грн
1000+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC037N08NS5TATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V.

Інші пропозиції BSC037N08NS5TATMA1 за ціною від 73.87 грн до 198.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC037N08NS5T_DataSheet_v02_02_EN-3360821.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.39 грн
10+ 162.69 грн
100+ 112.9 грн
250+ 103.84 грн
500+ 94.78 грн
1000+ 82.24 грн
5000+ 73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC037N08NS5TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc037n08ns5t-datasheet-v02_02-en.pdf TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
товар відсутній