BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 74.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSC037N08NS5ATMA1 за ціною від 67.68 грн до 171.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 |
на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V |
на замовлення 12462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC037N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |