![BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/7/22/20/30/34/234235/smn_/manual/bsc007n04ls6atma1.jpg)
BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 92.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC036NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції BSC036NE7NS3GATMA1 за ціною від 99.33 грн до 231.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
на замовлення 3790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSC036NE7NS3GATMA1 Код товару: 185447 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 37.5 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BSC036NE7NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A On-state resistance: 3.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |