Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC035N04LSGATMA1
BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC035N04LSGATMA1 за ціною від 29.94 грн до 89.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.81 грн
10000+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
252+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 252
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+60.55 грн
250+ 52.35 грн
1000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30158-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.63 грн
50+ 60.55 грн
250+ 52.35 грн
1000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 29184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.87 грн
10+ 65.6 грн
100+ 51.04 грн
500+ 40.6 грн
1000+ 33.08 грн
2000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+88.73 грн
150+ 80.84 грн
184+ 65.77 грн
200+ 59.38 грн
500+ 54.8 грн
1000+ 46.72 грн
2000+ 43.56 грн
5000+ 42.33 грн
10000+ 40.84 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC035N04LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360723.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.38 грн
10+ 72.26 грн
100+ 48.92 грн
500+ 41.47 грн
1000+ 31.77 грн
5000+ 30.22 грн
10000+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc035n04lsg-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній