BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 23.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC034N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC034N03LSGATMA1 за ціною від 20.9 грн до 69.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 11164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSC034N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A On-state resistance: 3.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |