BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 117.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSB044N08NN3GXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSB044N08NN3GXUMA1 за ціною від 109.2 грн до 316.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V |
на замовлення 10715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3 |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R |
товар відсутній |