![BGA5H1BN6E6327XTSA1 BGA5H1BN6E6327XTSA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TSNP_6_SPL.jpg)
BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 8585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.38 грн |
10+ | 40.39 грн |
100+ | 26.97 грн |
500+ | 23.28 грн |
1000+ | 18.82 грн |
2500+ | 18.12 грн |
5000+ | 16.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGA5H1BN6E6327XTSA1 Infineon Technologies
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V.
Інші пропозиції BGA5H1BN6E6327XTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : NXP |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||
![]() |
BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BGA5H1BN6E6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |