![BFS483H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/448_SOT-363%20PKG.jpg)
BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
![bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 20.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 65mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFS483H6327XTSA1 за ціною від 17.1 грн до 67.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 5696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Type of transistor: NPN x2 |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363 Mounting: SMD Case: SOT363 Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Power dissipation: 0.45W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Type of transistor: NPN x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BFS483H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |