BFR360L3E6765XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - BFR360L3E6765XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.69 грн |
| 500+ | 7.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR360L3E6765XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - BFR360L3E6765XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 35mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFR360L3E6765XTMA1 за ціною від 6.55 грн до 27.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR360L3E6765XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSLP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.5dB ~ 16dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 14GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 |
на замовлення 12175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW Automotive 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR360L3E6765XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.5dB ~ 16dB Power - Max: 210mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V Frequency - Transition: 14GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 |
товар відсутній |