BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR35APE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 45mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFR35APE6327HTSA1 за ціною від 7.26 грн до 39.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 280mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFR35APE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 280mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Current gain: 70...140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz |
товар відсутній |