BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 7.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSLP-3-1, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFR193L3E6327XTMA1 за ціною від 7.17 грн до 43.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
BFR193L3E6327XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
товар відсутній |