![BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/5/672966/smn_/manual/sot323.jpg_4721497712.jpg)
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFR181WH6327XTSA1 за ціною від 3.12 грн до 27.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
на замовлення 3545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 38902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |