BFR 193W H6327

BFR 193W H6327 Infineon Technologies


8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1091+11.05 грн
1128+ 10.69 грн
2500+ 10.37 грн
5000+ 9.73 грн
10000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 1091
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR 193W H6327 Infineon Technologies

Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 16dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFR 193W H6327 за ціною від 4.86 грн до 33.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BFR193W-DS-v01_01-en-1225482.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.54 грн
13+ 24.9 грн
100+ 13.49 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.4 грн
9000+ 5.48 грн
24000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193W H6327 Виробник : Infineon NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 200
BFR 193W H6327 Виробник : Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR193WH6327 BFR193WH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS22472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
товар відсутній